Волновое сопротивление линии передачи в общем виде определяется через емкостные и индуктивные параметры линии по формуле. Волновое сопротивление не зависит от длины линии. Это важный параметр, определяющий уровень отраженного сигнала от любой неоднородности.
В корпусе микросхемы такими неоднородностями являются точки сопряжения между кристаллом и проводником, соединяющим его с платой внутри корпуса, и между платой и выводом. Значение уровня помех, вызванных отражениями, зависит от рассогласования между волновым сопротивлением и сопротивлением нагрузки.
Например, при типичном волновом сопротивлении трассы на печатной плате 50 Ом необходимо выполнить волновое сопротивление выводов корпуса, также близким к 50 Ом. Типичное значение волнового сопротивления трасс в керамическом корпусе CPGA составляет 42 Ом, а для трасс в пластмассовом корпусе - 47 Ом.
Частотные ограничения параметров R-L-C
Цифровой сигнал содержит широкий спектр синусоидальных составляющих. До тех пор, пока минимальная длина волны для составляющей с максимальной частотой превышает погонную длину проводника, применима модель на сосредоточенных R-L- С элементах.
Для цифровых микросхем модель на сосредоточенных элементах применима при максимальной длине (мм) вывода 60, где длительность фронта, не. Когда применяются модели на сосредоточенных элементах, важно знать, какой параметр (по постоянному или переменному току) должен быть использован.
